莱特葳芯半导体(无锡)有限公司,成立于2022年8月,专注于隔离与非隔离高压栅极驱动芯片(HVIC or HV Gate Driver)、智能功率模块(GaN Module、IPM)、智能功率集成电路(SPIC、ALL-GaN IC)等的设计和方案开发,核心团队来自于澳门大学、清华大学、中国科学院等机构。
公司致力于高压、超高压栅极驱动芯片与模块的专用技术研发,以期为不同类型功率晶体管(GaN、SiC、MOSFET、IGBT等)匹配最佳驱动方案;针对不同的电机、逆变器、电源等应用场景,为客户量身定制驱动方案和电机控制方案。基于自研芯片技术,着力打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驱动芯片,促进相关技术在家电、机器人、工业自动化、汽车等多领域的应用。
莱特葳芯团队掌握国内外多种高性能超高压BCD工艺与超高压集成电路设计技术,提出的高压半隔离驱动技术可降低芯片面积达20-30%,提出的高效dv/dt噪声滤除技术适用于多数UHV BCD工艺。团队具备丰富的工艺开发与电路设计综合性技术能力,立足国内功率半导体市场,解决高端功率半导体智能化升级的技术痛点,创新智能功率模块解决方案,实质性填补国内市场空白,助力国产替代。