喜报！莱特葳芯成功入围第十二届中国创新创业大赛全国赛

 中国创新创业大赛（简称“国赛”）由科技部、教育部等单位指导、火炬中心等单位承办，旨在强化企业科技创新、促进产学研深度融合和科技—产业—金融良性循环。大赛已成功举办十一届，聚焦国家战略和重大需求，突出战略性新兴产业重点领域，助推关键核心技术攻关，并评选出从事高新技术产品研发、制造、服务等业务，具有创新能力和高成长潜力的优秀企业。

 本届国赛（半决赛）将于9月—11月按新材料、高端装备制造、新一代信息技术、生物医药和新能源、新能源汽车、节能环保等产业领域进行，大赛选拔出的优秀企业将成为资本市场各板块支持科技创新的重要发源地。

 莱特葳芯半导体(无锡)有限公司，成立于2022年8月，专注于隔离与非隔离高压栅极驱动芯片(HVIC or HV Gate Driver)、智能功率模块(GaN Module、IPM)、智能功率集成电路(SPIC、ALL-GaN IC）等的设计和方案开发，核心团队来自于澳门大学、清华大学、中国科学院等机构。

 公司致力于高压、超高压栅极驱动芯片与模块的专用技术研发，以期为不同类型功率晶体管（GaN、SiC、MOSFET、IGBT等）匹配最佳驱动方案；针对不同的电机、逆变器、电源等应用场景，为客户量身定制驱动方案和电机控制方案。基于自研芯片技术，着力打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驱动芯片，促进相关技术在家电、机器人、工业自动化、汽车等多领域的应用。

 莱特葳芯团队掌握国内外多种高性能超高压BCD工艺与超高压集成电路设计技术，提出的高压半隔离驱动技术可降低芯片面积达20-30%，提出的高效dv/dt噪声滤除技术适用于多数UHV BCD工艺。团队具备丰富的工艺开发与电路设计综合性技术能力，立足国内功率半导体市场，解决高端功率半导体智能化升级的技术痛点，创新智能功率模块解决方案，实质性填补国内市场空白，助力国产替代。

 此次入围全国赛，是对莱特葳芯智能化高压栅极驱动芯片与功率模块技术的肯定，充分展现了莱特葳芯在新一代信息技术领域的综合性技术实力。接下来，莱特葳芯将全力备战第十二届中国创新创业大赛全国赛，争取再创佳绩！