惊艳亮相！莱特葳芯核心团队在ISSCC和APEC大会展示创新技术成果
2024-02-29
莱特葳芯
创新技术成果在ISSCC和APEC大会亮相
近期
莱特葳芯核心团队
惊艳亮相
集成电路顶会ISSCC和电力电子顶会APEC
2家全球顶级学术会议
在世界舞台上一展顶尖创新实力
赢得了现场专家们的高度认可
下面让我们来了解一下
▲莱特葳芯CTO毛方玉博士受邀在ISSCC 2024做报告
2月18日-22日
2024年国际固态集成电路会议ISSCC在美国旧金山举办，莱特葳芯CTO毛方玉博士做了“A Differential Hybrid Class-ED Power Amplifier with 27W Maximum Power and 82% Peak E2E Efficiency for Wireless Fast Charging To-Go”的技术报告，提出并设计了具有升压和可控输出电压的单级无线能量发射芯片，最大功率达到27W，具备82%的峰值E2E效率。
该工作是毛方玉博士继2018年在ISSCC展示无线能量传输技术以来，相关创新成果第二次被ISSCC收录，展示了他在先进无线能量收发领域的深厚技术积累。
ISSCC2024背景介绍
(国际固态电路会议)是“IEEE International Solid-State Circuits Conference”的缩写，是国际学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是集成电路设计领域的“世界奥林匹克大会”。每年吸引了超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参加者，是全球规模最大的固态电路学术会议。
▲莱特葳芯CTO毛方玉博士代表刘天奇博士在APEC 2024做技术展示
2月25日-29日
2024年全球电力电子盛会APEC在美国加利福尼亚州长岛召开，莱特葳芯CEO刘天奇博士的工作“A Quad-Slope 70V GaN Gate Driver with Integrated Three-Mode Level Shifter for Enhanced Negative Voltage Tolerance, dV/dt Detection and Double-Edge Self-Triggered Delay Compensation”被大会以报告形式收录，该工作提出了基于多模式Level Shifter和延时补偿的高可靠GaN驱动控制技术，内容涵盖高速dV/dt测量、延时补偿、负压容忍能力提升、噪声能量回收、高精度驱动等多项创新技术，展示了公司研发团队在高速GaN驱动前沿技术领域的多尺度布局。
目前，莱特葳芯已经完成了650V GaN智能驱动、48V高速GaN半桥驱动等产品布局，预期2024年中将逐步进入市场，并促进GaN绿色开关技术在工业电源、高效率逆变器等领域的应用推广。
APCE2024背景介绍
（Applied Power Electronics Conference and Exposition）是全球电力电子领域内最为重要的会议之一，由IEEE（电气和电子工程师协会）赞助。它汇集了来自世界各地的科学家、工程师、学者和业界专家，共同探讨电力电子技术的最新进展、应用和未来趋势。作为一个年度盛会，APEC 2024提供了一个独特的平台，旨在推动电力电子技术的创新与发展，促进学术与工业界的深入交流。该展以其高质量的专业观众，成为享誉电力电子行业的专业国际性展会。
以上两项创新技术成果
均在澳门大学路延教授的
合作指导下完成
展现了莱特葳芯核心团队
在集成电路领域
具备极强的创新能力
未来
莱特葳芯将致力于成为
高压驱动芯片领域的领军企业
以优秀的研发能力、优质的产品及服务
推动前沿技术快速产品化落地